半導体後工程・実装材料低温ポリマーハイブリッドボンディング

ボンディング工程でのパーティクル不良を抑制

低温ポリマーハイブリッドボンディング

  • 絶縁材がポリマーのためパーティクル不良が少なく、COW(Chip on Wafer)プロセスに適しています。
  • 一般的な銅-銅拡散接合は350~400℃なのに対し、低温ポリマーハイブリッドボンディングは200℃!
タイプA(当社製品:感光性絶縁材料+焼結型銅ペースト)
タイプB(当社製品:超高耐熱樹脂+銅表面処理剤)

この成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」(JPNP20017)の助成事業の結果得られたものです。